何謂CNS-中華民國國家標準(CNS)

   
小時候常常看到這個符號，然而卻不知道這是什麼。直到最近上課時才發現，原來這就是常常說的正字標記。其最大目的就是認證你所用的產品是經過國家掛保證的(對購買產品的消費者)，當然CNS還有其他的目的，像是很多制度上的統一標準，讓大家可以在同一標準下執行程序及工程施工...等等的規範，簡單來說他就是國家所定義的使用規範及國家認證，以下是我從正字標記網站轉PO的文章。


    正字標記驗證制度係我國為推行中華民國國家標準(Chinese National Standards,CNS)，自民國四十年起實施之產品驗證制度；主要藉由核發之正字標記，以彰顯產品品質符合國家標準，且其生產製造工廠採行之品質管理，亦符合國際規範之品質保證制度，使生產廠商藉正字標記之信譽，爭取顧客信賴以拓展市場，消費者亦可經由辨識正字標記簡易地購得合宜的優良產品，權益因此獲得保障。

　要通過正字標記的驗證，廠商所生產製造的產品品質必需符合我國國家標準，且其生產製造工廠採用之品質管理系統，亦符合標準檢驗局指定品管制度(目前為國家標準CNS12681(ISO　9001))品質保證制度。

　目前許多產品管道來路不明，市面上常出現許多大陸製造或者回收等不良商品，如：不良熱水器、浴巾等，危害到民眾的生命安全，標準檢驗局持續推動消費者於採購前認明正字標記之標識，才能有所保障。

正字標記驗證制度

1.目的 經濟部標準檢驗局為推行我國國家標準(CNS)，經國家標準審查 委員會審議後，公告選定國家標準項目，實施正字標記驗證制度；主要藉由核發之正字標記 ，以彰顯產品品質符合國家標準，且其生產製造工廠採行之品質管理，亦符合國際規範之品質保證制度，使生產廠商藉正字標記之信譽，爭取顧客信賴以拓展市場，消費者亦可經由辨識正字標記簡易地購得合宜的優良產品，權益因此獲得保障。 2.核准要件 本驗證制度係自願採行性質，廠商自願實施工廠品質管理，並依CNS規定生產製造其產品後，得申請正字標記。准予使用正字標記之要件如下： (1)工廠品質管理經評鑑取得標準檢驗局指定品管制度(目前為國家標準CNS 12681(ISO 9001))之認可登錄。 (2)產品經檢驗符合國家標準 目前採行之產品檢驗，係於工廠抽樣或市場購樣後，由本局或本局受託機關〈構〉、認可機 構，依CNS規定實施檢驗；必要時亦得於工廠實施監督試驗。 3.確保產品品質穩定持久之措施 本驗證制度為確保正字標記產品品質之穩定性及持久性，實施每年至少一次之不定期品管追查及不定期產品抽驗，並輔以不定期市場抽驗加以監視；同時，對工廠生產線因應CNS修訂而變更，以及停止生產製造等事項皆納入管理。      正字標記圖式及標示法 　 1.正字標記圖式 　      由中華民國國家標準之英文簡稱「CNS」及      中文符號「㊣」組成，標示如左： 　 2.圖式之稱呼 (1)中文－CNS正字標記 (2)英文－CNS Mark 　 3.標示法 　           廠商使用正字標記應依下列規定標示： 將正字標記圖式，連同證書字號，標示於正字標記產品之顯著部位，二者形成一體之視覺效果。 產品上無法標示時，應在其包裝或容器上標示；其為散裝者，應於送貨單上標示。 正字標記未來展望 一、積極增列正字標記品目及擴大使用範圍： 採行第三者產品驗證機構制度：對於經認可之第三者驗證機構，具備符合國家標準之產品相關檢測能力，及符合ISO/IEC Guide65產品驗證機構規定者，即可核發正字標記證書，以運用民間驗證能量，擴大正字標記品目範圍。 採行認可品管驗證機構及試驗室制度：對於工廠生產製造之產品及其品管，採認經財團法人全國認證基金會（TAF）認證或認可之國內外檢驗／驗證機構之驗證報告書，以擴增執行正字標記驗證之能力及能量。 二、加強正字標記宣導與推廣: 每年辦理正字標記系列推廣活動，以推動正字標記之形象及意涵，讓正字標記廠商可以借力使力為其品牌加值行銷、爭取顧客信賴以拓展市場；並且讓消費者經由辨識正字標記簡易地購買到優良商品、杜絕黑心商品，保障消費權益及健康安全。同時使政府、企業等採購人員透過指定正字標記，確保採購品質及簡化驗收程序，促使相關工程及設備獲得安全。 結合正字標記協會、相關公協會及相關團體，共同推廣正字標記，維持及提升正字標記之優良形象，爭取消費者、企業、採購單位的信賴。 資料來源

常用電工電氣符號大全

常用電工電氣符號大全

符號 描述 符號 描述 符號 描述 C 電容器 EH 發熱器件 EL 照明電 EV 空氣調節器 FA 帶暫態動作的限流保護器件 FR 帶延時動作的限流保護器件 FS 帶暫態、延時動作的限流保護器件 FU 熔斷器 FV 限壓保護器件 GS 同步發電機 GA 非同步發電機 GB 蓄電池 HA 報警器 HL 指示燈 KA 過流繼電器 KM 接觸器 KR 熱繼電器 KT 延時繼電器 L 電感器 M 電動機 MS 同步電動機 MT 力矩電動機 PA 電流錶 PJ 電度錶 PS 記錄儀錶 PV 電壓表 QF 斷路器 QM 電動機保護開關 QS 隔離開關 TA 電流互感器 TC 電源互感器 TV 電壓互感器 XB 連接片 XJ 測試插孔 XP 插頭 XS 插座 XT 端子排 YA 電磁鐵 YM 電動閥 YV 電磁閥 　 　 　 　 符號 描述 符號 描述 符號 描述 A 電流、模擬 AC 交流 AUT 自動 ACC 加速 ADD 附加 ADJ 可調 AUX 輔助 ASY 非同步 BRK 制動 BK 黑 BL 藍 BW 向後 C 控制 CW 順時針 CCW 逆時針 D 延時、數字 DC 直流 DEC 減 E 接地 EM 緊急 F 快速 FB 回饋 FW 向前 GN 綠 H 高 IN 輸入 INC 增 IND 感應 L 低、限制 LA 閉鎖 M 主、中間線 MAN 手動 N 中性線 OFF 斷開 ON 閉合+ OUT 輸出 P 壓力、保護 PE 保護接地 PEN 保護接地與中性共用 PU 不接地保護 R 記錄、反 RD 紅 RST 復位 RES 備用 RUN 運行 S 信號 ST 啟動 SET 置位、定位 SAT 飽和 STE 步進 STP 停止 SYN 同步 T 溫度、時間 TE 無干擾接地 V 速度、電壓、真空 WH 白 YE 黃 資料來源

隨機存取記憶體

隨機存取記憶體的種類

隨機存取記憶體(RAM：Random Access Memory)使用時可以讀取資料也可以寫入資料，當電源關閉以後資料立刻消失。由於隨機存取記憶體的資料更改容易，所以一般應用在個人電腦做為暫時儲存資料的記憶體。隨機存取記憶體又可以細分為「靜態(Static)」與「動態(Dynamic)」兩種：

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靜態隨機存取記憶體(SRAM：Static RAM)

「靜態隨機存取記憶體(SRAM：Static RAM)」是以6個電晶體來儲存1個位元(1bit)的資料，而且使用時不需要週期性地補充電源來保持記憶的內容，故稱為「靜態(Static)」。
SRAM的構造較複雜(6個電晶體儲存1個位元的資料)使得存取速度較快，但是成本也較高(6個電晶體儲存1個位元的資料)，因此一般都製作成對容量要求較低但是對速度要求較高的記憶體，例如：個人電腦的處理器(CPU)內建256KB或512KB的「快取記憶體(Cache Memory)」，就是使用SRAM。科技台灣www.hightech.tw

動態隨機存取記憶體(DRAM：Dynamic RAM)

「動態隨機存取記憶體(DRAM：Dynamic RAM)」是以1個電晶體加上1個電容來儲存1個位元(1bit)的資料，而且使用時必須要週期性地補充電源來保持記憶的內容，故稱為「動態(Dynamic)」。

DRAM構造較簡單(1個電晶體加上1個電容來儲存1個位元的資料)使得存取速度較慢(電容充電放電需要較長的時間)，但是成本也較低(1個電晶體加上1個電容來存儲1個位元的資料)，因此一般都製作成對容量要求較高但是對速度要求較低的記憶體，例如：個人電腦主機板上通常使用512MB或1GB的DRAM。

＞同步動態隨機存取記憶體(SDRAM：Synchronous DRAM)

同步動態隨機存取記憶體(SDRAM：Synchronous DRAM)是利用同步存取技術，使存取資料時的工作時脈(Clock)與主機板同步，以提高資料存取速度。因此SDRAM的存取速度較DRAM快，目前電腦主機板上都是使用SDRAM來取代傳統的DRAM。

SDRAM是利用石英振盪器所產生的「時脈(Clock)」來進行同步的動作，我們將石英振盪器連接到SDRAM的某一個金屬接腳(pin)，如＜圖6-25(a)＞所示，做為SDRAM讀取資料時的標準。石英振盪器所產生的時脈如＜圖6-25(b)＞所示，其實就是電壓大小在1.8V(伏特)與0V(伏特)之間不停地變化，當電壓由0V變成1.8V時形成一個「上升邊緣(Rising edge)」，而當電壓由1.8V變成0V時形成一個「下降邊緣(Falling edge)」。當SDRAM與主機板同時讀到一個「上升邊緣」時，SDRAM將資料傳送進入主機板，而主機板也同時將資料接收進來；相反地，當SDRAM與主機板同時讀到一個「上升邊緣」時，主機板也可能將資料傳送進入SDRAM，而SDRAM也同時將資料接收進來，這就是所謂的「同步(Synchronous)」，亦即「SDRAM與主機板同時進行存取的動作」，至於是存還是取，一般會有另外一支金屬接腳(pin)來決定，在此不再詳細討論。科技台灣www.hightech.tw

SDRAM是在時脈的「上升邊緣」存取資料，也就是在時脈電壓上升時存取資料，電壓下降時則不存取資料，所以一個時脈週期只能讀取1位元(bit)的資料，如＜圖6-25(c)＞所示，雖然傳送到SDRAM的資料電壓一直在改變，但是經由與時脈電壓「上升邊緣」同步後，可以確定SDRAM讀取的數位資料是「010(讀取3位元)」。SDRAM配合處理器(CPU)的外頻而有不同的規格，例如：SDRAM-133代表工作頻率為133MHz。

＜圖6-25＞　SDRAM與DDR-SDRAM的比較。

＞二倍資料速度－同步動態隨機存取記憶體(DDR-SDRAM：Double Data Rate SDRAM)
二倍資料速度－同步動態隨機存取記憶體(DDR-SDRAM：Double Data Rate SDRAM)是利用同步存取技術，使存取資料時的工作時脈(Clock)與主機板同步，以提高資料存取速度。由於一個時脈週期可以讀取2位元(bit)的資料，因此工作速度比傳統的SDRAM快二倍，故稱為「二倍資料速度」，最重要的是DDR只需要將SDRAM的電路少量修改即可，成本增加不多就可以得到兩倍的資料存取速度。

DDR是在時脈的「上升邊緣」與「下降邊緣」均可存取資料，也就是在時脈電壓上升時存取資料，電壓下降時也可以存取資料，所以一個時脈週期可以讀取2位元(bit)的資料，如圖6-25(d)所示，雖然傳送到DDR的資料電壓一直在改變，但是經由與時脈電壓「上升邊緣」與「下降邊緣」同步後，可以確定DDR讀取的數位資料是「011101(讀取6位元)」，顯然相同時間存取速度恰好是SDRAM的兩倍。DDR配合處理器(CPU)的外頻而有不同的規格，例如：DDR-266代表工作頻率為266MHz，恰好比SDRAM-133快二倍。

由於個人電腦的處理器(CPU)運算速度愈來愈快，因此科學家們開發出速度更快的DDR2與DDR3同步動態隨機存取記憶體，增加許多新的功能來提升存取的速度，由於原理複雜在此不再詳細描述，基本上DDR2一個時脈週期可以讀取4位元(bit)的資料，而DDR3一個時脈週期可以讀取8位元(bit)的資料。DDR2與DDR3配合處理器(CPU)的外頻而有不同的規格，例如：DDR2-533代表工作頻率為533MHz，DDR3-1066代表工作頻率為1066MHz，各種動態隨機存取記憶體的比較如＜表6-7＞所示，其中DDR3的工作頻率為SDRAM的8倍，DDR2的工作頻率為SDRAM的4倍，DDR的工作頻率為SDRAM的2倍。科技台灣www.hightech.tw

＜表6-7＞　動態隨機存取記憶體的比較。

將記憶體內建在其他功能的晶片內，或是將記憶體與其他功能的晶片放在一起，再封裝成一個積體電路(IC)的記憶體，泛稱為「內嵌式記憶體(Embedded memory)」。上述將SRAM內建在處理器(CPU)內就是屬於內嵌式記憶體，但是內嵌式記憶體不只SRAM一種，在許多可攜帶式電子產品中，也常將「唯讀記憶體(ROM)」或「動態隨機存取記憶體(DRAM)」內嵌在晶片內。

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